作为中国集成电路产品和技术发展的风向标，本届“中国芯”评选活动，是在工业和信息化部电子信息司指导下实施开展的全国性集成电路行业盛会，也是国内集成电路领域极具影响力和权威性...

　　中科驭数正在研发的第二代DPU芯片K2已经完成设计和验证工作，预计将于2022年第一季度投产流片。...

　　现代社会交通日益发达，随之而来的交通事故也越来越多。事故现场会出现很多物证。例如：肇事车辆的涂层可能脱落，脱落油漆和颗粒将附着在撞击物或受害者身上，同时受害者的衣物纤维可...

　　12月18日，由中国科学院《互联网周刊》、中国社会科学院信息化研究中心、eNet研究院、德本咨询等联合主办的2021（第十九届）中国互联网经济论坛在北京举行，并揭晓互联网产业创新发展风向...

　　12月17日，首届滴水湖中国RISC-V产业论坛在上海临港滴水湖皇冠假日酒店举行，来自全国各地的RISC-V“玩家”汇聚于此，共同探讨推动国产RISC-V芯片快速产业化落地和应用创新的可能。RISC-V自面...

　　SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于去，除重有机...

　　系统厂商、终端厂商自研芯片，对于传统集成电路设计企业是一个巨大威胁吗？如何集成电路领域的国产替代进程？国产替代当中有哪些误区？微纳研究院CTO吴海宁、求是缘半导体联盟荣...

　　电子发烧友网报道（文/程文智）12月18日，RT-Thread开发者大会在深圳大中华喜来登酒店举办，本届大会的主题是“Beyond”，寓意超越自我，突破边界。在上午的主题演讲环节，来自RT-Thread的主要...

　　电子发烧友网报道（文/李弯弯）日前，印度政府批准了一项100亿美元的激励计划，吸引全球半导体和显示器制造商到印度建立工厂。根据该计划，印度政府将向符合资质的显示器和半导体制造...

　　11月30日，世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布2022年的半导体市场将同比增长9％，预计达到6014亿美元，创历史最高纪录。...

　　2021年3月，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》发布，瞄准集成电路前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目，此前，国家各部委...

　　12月10日结束的中央经济工作会议上，中央提出通过大力开展核心技术攻关提升制造业核心竞争力，推动实现增强产业链自主可控；而通过推进数字化、绿色低碳转型，提升产业链工业链水平无...

　　随着智能家居与AIoT技术的发展，越来越多的家居产品也有了一些智能型的家居硬件，比如智能门锁、智能门铃、智能电饭煲、智能门帘、智能摄像头等可以通过AI音响或是远程控制的电子产品，...

　　宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者 受访对象：萨科微半导体创始人宋仕强先生 采访主题：萨科微半导体的成长史的几个问题 近年来，在半导体“国产替代”和解决欧美国家对我们“卡脖...

　　微容科技出席由电子发烧友主办2021第八届中国IoT大会，就“从PCB到芯片内置，智能与物联产业发展中的被动元件的升级”进行了系列演讲。...

　　由慕尼黑展览（上海）有限公司主办的第十七届慕尼黑上海光博会将于2022年3月23-25日在上海新国际博览中心举行，主办方目前正在积极紧张地筹备中...

　　由于铜在二氧化硅和硅中的快速扩散，以及在禁带隙内受体和供体能级的形成，铜需要在化学机械抛光过程后清洗。...

　　在所有金属污染物中，铁和铜被认为是最有问题的。它们不仅可以很容易地从未优化的工艺工具和低质量的气体和化学物质转移到晶片上，而旦还会大大降低硅器件的产量。用微波光电导衰减和...

　　12月10日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TUV大中华区（以下简称“TUV莱茵”）联合韩国产业技术试验院（KTL）为上海福佑斯电器有限公司（以下简称“福佑斯电器”）的小型熔...

　　2021年12月14日，以“同芯与共 行以至远”为主题的2021英特尔智慧零售领航创享会，在深圳湾1号鹏瑞莱佛士酒店成功举办。...

　　电子发烧友网报道（文/李弯弯）12月14日，智路资本收购MagnaChip终止，因为未获得美国外国投资委员会（CFIUS）批准，不少业内人士对此颇为不满。   近年来，智路资本在半导体圈很火，因...

　　我们提出了一种观察铝层蚀刻截面的方法，并将其应用于静止蚀刻蚀刻的试件截面的观察。观察结果成功地阐明了蚀刻截面几何形状的时间变化，和抗蚀剂宽度对几何形状的影响，并对蚀刻过程...

　　这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期...

　　25载倾力耕耘，匠心不辍，新思科技见证了研电赛的发展与演进，与广大学子共同探索中国芯片事业的实践与发展道路。...

　　在本文中，我们详细研究了AlGaN的湿法刻蚀特性。特别地，我们研究了m面刻面形成和AlN摩尔分数对蚀刻速率的依赖关系。我们还研究了氮化铝摩尔分数差异较大的紫外发光二极管结构的湿法刻蚀...

　　随着服务器和数据中心在全球范围内的应用日益广泛，对稳定高效电源的需求越来越强烈，以应对不断增加的功耗。...

　　最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌/氧化锌/氧化锌异质结构系统的兴趣。...

　　应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物...